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    硫化鍺之晶體成長及特性研究
    • 應用科技研究所 /105/ 碩士
    • 研究生: 李嘉軒 指導教授:
    • 中文摘要 本論文運用化學氣相傳導法成長硫化鍺 (GeS) 晶體,成長溫度為 600°C 且溫度梯度為-2.5°C /cm,維持 14 天後於低溫沉積端慢慢堆疊成長出晶體,最後成功長出 GeS 層狀半…
    • 點閱:594下載:2

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    硒硫化鎵層狀二維半導體的光學特性研究
    • 應用科技研究所 /105/ 碩士
    • 研究生: 葉柏賢 指導教授:
    • 本論文以 垂直式布里茲曼 垂直式布里茲曼 垂直式布里茲曼 法成長 法成長 Ga Se 1-xSx(x = 0 、0.10.10.1、0.20.2 、0.30.3 、 0.40.4 、0.5)0.5)…
    • 點閱:298下載:6

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    錸的硫屬層狀二維半導體系列之光學特性研究
    • 應用科技研究所 /105/ 碩士
    • 研究生: 劉展志 指導教授:
    • 本論文以化學氣相傳導法成長錸的層狀半導體,對此系列晶體進行結構分析,並藉由本實驗室光電量測系統對其特性加以分析研究及討論。 藉由能量質譜儀量測確定成長材料之元素比,穿透式電子顯微鏡確認晶體組…
    • 點閱:266下載:3

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    硫化錫與硒化錫之晶體成長與光學特性研究
    • 電子工程系 /105/ 碩士
    • 研究生: 林文堯 指導教授:
    • 本論文利用化學氣相傳導法成長出硫化錫(SnS)與硒化錫(SnSe)之單晶,利用能量散佈儀確認元素成分比例符合。透過X光繞射、穿透式電子顯微鏡與拉曼散射光譜可確認兩者均為正交晶系(Orthor…
    • 點閱:296下載:3
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