檢索結果:共4筆資料 檢索策略: "何清華".cadvisor (精準) and year="105"
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中文摘要 本論文運用化學氣相傳導法成長硫化鍺 (GeS) 晶體,成長溫度為 600°C 且溫度梯度為-2.5°C /cm,維持 14 天後於低溫沉積端慢慢堆疊成長出晶體,最後成功長出 GeS 層狀半…
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本論文以 垂直式布里茲曼 垂直式布里茲曼 垂直式布里茲曼 法成長 法成長 Ga Se 1-xSx(x = 0 、0.10.10.1、0.20.2 、0.30.3 、 0.40.4 、0.5)0.5)…
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本論文以化學氣相傳導法成長錸的層狀半導體,對此系列晶體進行結構分析,並藉由本實驗室光電量測系統對其特性加以分析研究及討論。 藉由能量質譜儀量測確定成長材料之元素比,穿透式電子顯微鏡確認晶體組…
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本論文利用化學氣相傳導法成長出硫化錫(SnS)與硒化錫(SnSe)之單晶,利用能量散佈儀確認元素成分比例符合。透過X光繞射、穿透式電子顯微鏡與拉曼散射光譜可確認兩者均為正交晶系(Orthor…